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IGBT單管和IGBT模塊的區別

作者: 來源: 日期:2020-5-15 14:11:12 人氣:420

IGBT單管和IGBT模塊的區別

 IGBT單管的概念 

   IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的英文縮寫,IGBT根據封裝不同可以分為IGBT模塊和IGBT單管,IGBT單管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

 IGBT單管和IGBT模塊的區別 

     IGBT模塊可以看做是IGBT單管的功能改進和升級,它們的運用領域基本一樣,但是IGBT模塊由于集成了各種驅動保護電路,安裝是使用上大大的方便了用戶,采用新的封裝技術后,IGBT的性能也得到了很大的提升,拓展了IGBT的運用領域! 

     IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的**發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統效率,現已開發成功第二代IPEM,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。


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