IGBT單管和IGBT模塊的區別

 IGBT單管的概念 

   IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的英文縮寫，IGBT根據封裝不同可以分為IGBT模塊和IGBT單管，IGBT單管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

 IGBT單管和IGBT模塊的區別 

     IGBT模塊可以看做是IGBT單管的功能改進和升級，它們的運用領域基本一樣，但是IGBT模塊由于集成了各種驅動保護電路，安裝是使用上大大的方便了用戶，采用新的封裝技術后，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的運用領域！ 

     IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的**發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統效率，現已開發成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。