IGBT單管和IGBT模塊的區(qū)別 

      IGBT模塊可以看做是IGBT單管的功能改進(jìn)和升級(jí)，它們的運(yùn)用領(lǐng)域基本一樣，但是IGBT模塊由于集成了各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，安裝是使用上大大的方便了用戶，采用新的封裝技術(shù)后，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域！ 

      IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的**發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。